Samsung Electronics, công ty hàng đầu thế giới về công nghệ bán dẫn đã thông báo về việc đưa vào sản xuất chip theo quy trình 3 nanomet (nm) áp dụng kiến trúc bóng bán dẫn Gate-All-Around (GAA). Đây cũng là quy trình mà tập đoàn chất bán dẫn TSMC của Đài Loan dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào cuối năm 2022.
Theo Samsung, công nghệ GAA lần đầu tiên được triển khai, vượt qua các giới hạn về hiệu suất của FinFET, cải thiện hiệu quả sử dụng điện bằng cách giảm mức điện áp cung cấp, đồng thời, nâng cao hiệu suất với tăng khả năng dòng điện của ổ đĩa.
Quy trình chế tạo mới tiết kiệm điện hơn 45% so với quy trình 5nm trước đó của họ, có hiệu suất cao hơn 23% và diện tích bề mặt nhỏ hơn 16%. Quy trình thế hệ tiếp theo được kỳ vọng sẽ giúp giảm tiêu thụ điện năng tối đa lên 50%, cải thiện 30% hiệu suất và giảm 35% diện tích.
Mục tiêu của Samsung là cố gắng cung cấp một môi trường thiết kế ổn định hơn để giúp giảm thời gian cần thiết cho quá trình thiết kế. Con chíp theo quy trình mới sẽ giúp xử lý dữ liệu lớn, phức tạp một cách nhanh hơn.
Để thực hiện được điều này, Samsung đã có những hợp tác chặt chẽ với các đối tác lớn như Siemens EDA, Ansys hay Cadence. Nền tảng của các công ty này sẽ giúp cho việc tạo ra các giải pháp hỗ trợ các quy trình tiên tiến của Samsung, từ đó giúp các khách hàng đẩy nhanh đáng kể chu kỳ thiết kế của họ.
Samsung sẽ sản xuất chip mới theo quy trình 3nm tại hai cơ sở Hwaseong và Pyeongtaek ở Hàn Quốc, sau đó sẽ mở rộng sang các cơ sở khác ở Mỹ vào năm 2024.
