Samsung sản xuất hàng loạt bộ nhớ flash NAND mật độ cao

KTĐT - Samsung hiện đang sản xuất hàng loạt chip flash NAND 64Gbit, 3-bit/cell mật độ cao nhất hiện nay. Những chip nhớ 64Gbit, 3-bit/cell này cũng có hiệu năng tốt hơn.

Những chip này sử dụng mạch nhỏ hơn khoảng 14% so với trước, chứa số bit nhiều gấp hai lần những chip flash NAND hiện tại của Samsung.

Loại flash NAND này cũng đưa ra hiệu năng tốt hơn nhờ áp dụng đặc tả kỹ thuật Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0 cho các chip mới. Samsung đã sản xuất các chip NAND 30nm nhờ sử dụng đặc tả kỹ thuật dựa trên SDR (Single Data Rate).

Samsung khẳng định, họ là công ty đầu tiên bắt đầu sản xuất bộ nhớ flash sử dụng mạch 20nm. Các chip flash sẽ được sử dụng để tạo ra những ổ đĩa flash USB dung lượng cao, thẻ nhớ SD, bộ nhớ lưu trữ của điện thoại thông minh và ổ trạng thái rắn (SSD).

Samsung sẽ không tiết lộ kích thước chính xác công nghệ in thạch bản của họ mà chỉ nói rằng, nó có kích thước trong khoảng từ 20nm đến 29nm. Kể từ tháng 11/2009, Samsung đã sử dụng công nghệ in thạch bản 30nm để phát triển các chip flash NAND với dung lượng 32Gbit.

Ở kích thước 25nm, mạch flash NAND mỏng hơn một sợi tóc con người 3.000 lần.

Công nghệ NAND mới khiến ta có thể xây dựng các sản phẩm sử dụng chip ít hơn, cho phép những thiết kế nhỏ hơn, mật độ cao hơn. Sự thay đổi này cũng cắt giảm tổng chi phí để sản xuất sản phẩm di động, tiết kiệm cho người tiêu dùng.