Bước đột phá chip sẽ giúp Trung Quốc tiệm cận Mỹ?

Tùng Lâm
Chia sẻ Zalo

Kinhtedothi - Loại chip tiên tiến này của Bắc Kinh sẽ khiến Washington và Seoul phải dè chừng?

Ngày 29/11, ChangXin Memory Technologies (CXMT) cho biết họ đã sản xuất chip bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tự động đồng bộ tốc độ dữ liệu kép (DRAM LPDDR5), một thế hệ chip bộ nhớ mới từng được Samsung Electronics, Hàn Quốc giới thiệu vào năm 2018. Đây là lần đầu tiên một công ty Trung Quốc làm được điều này.

Trong bối cảnh Mỹ tăng cường các lệnh trừng phạt nhằm hạn chế Trung Quốc đạt được những bước tiến trong sản xuất chip tiên tiến, bước đột phá này được kỳ vọng sẽ giúp nền kinh tế số hai thế giới giảm phụ thuộc vào việc nhập khẩu các nguyên liệu được sử dụng trong các thiết bị điện tử như: điện thoại di động hay máy tinh xách tay.

Chip bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ dữ liệu kép DRAM LPDDR5. Ảnh: SCMP
Chip bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ dữ liệu kép DRAM LPDDR5. Ảnh: SCMP

Theo CXMT tại Hợp Phì, một trong những sản phẩm của công ty, phiên bản chip 12 gigabyte (GB), gói 8 khuôn, mỗi khuôn có dung lượng 12 gigabit (Gb), đã được các nhà sản xuất điện thoại thông minh Trung Quốc, như Xiaomi và Transsion chứng nhận.

Hiện tại, Bắc Kinh đã đạt những tiến triển ổn định trong sản xuất và phát triển chất bán dẫn, mặc dù bị từ chối truy cập vào công nghệ in thạch bản cao cấp quan trọng từ công ty ASML, Hà Lan cũng như một số nhà cung cấp Nhật Bản.

Trong số những đột phá gần đây, Huawei Technologies đã khiến thế giới kinh ngạc khi cho ra mắt điện thoai thông minh Mate 60 Pro được trang bị chip nội địa tiên tiến. Báo cáo phân tích của các bên liên quan kết luận rằng chip này được sản xuất bởi ông lớn hàng đầu trong ngành chip Trung Quốc, Semiconductor Manufacturing International Corp, dựa trên những thiết bị hiện có.

Vào ngày 28/11, nhà sản xuất chip Loongson đã công bố chip 3A6000 sau hàng thập kỷ nỗ lực nghiên cứu và phát triển chip của riêng mình. Truyền thông nhà nước Trung Quốc cho biết sản phẩm này có hiệu suất tương đồng với CPU Intel từ năm 2020.

Theo CXMT, chip bộ nhớ mới cải thiện đến 50% tốc độ và dung lượng truyền dữ liệu so với chip DDR4X tiêu thụ điện năng thấp trước đó, đồng thời giảm 30% mức tiêu thụ điện năng. Công ty này cũng tiết lộ việc tiếp tục đa dạng hóa các sản phẩm sử dụng loại chip này trên thị trường điện thoại di động.

Được thành lập vào năm 2016, CXMT mang theo hy vọng của Trung Quốc trong việc bắt kịp với các gã khổng lồ chip nhớ Hàn Quốc Samsung Electronics và SK Hynix cũng ông lớn công nghệ Mỹ Micron Technology trên thị trường chip DRAM toàn cầu.

CMXT không tiết lộ quy trình về việc sản xuất chip mới.

Vào tháng 10, Cục Công nghiệp và An ninh Mỹ đã đặt ra tiêu chuẩn xuất khẩu cao hơn đối với những thiết bị quan trọng cho sản xuất chip, như công nghệ in thạch bản, khắc, lắng đọng, cấy ghép và làm sạch, nhằm hạn chế khả năng chế tạo chip ở quy trình 14 nanomet, chế tạo chip DRAM ở quy trình 18 nanomet và chip 3D NAND ở mức 128 lớp.

Brady Wang, phó giám đốc của công ty nghiên cứu Counterpoint cho biết: “CXMT vẫn phải đối mặt với những thách thức trong tăng năng suất sản xuất, cạnh tranh về giá cả cũng như chất lượng với sản phẩm DRAM của các nhà sản xuất Hàn Quốc. Thậm chí, công nghệ được sử dụng để sản xuất chip tiên tiến của Trung Quốc cũng không đủ khiến Washington phải lo ngại”.

Vào năm 2018, Samsung trình làng chip LPDDR5 8 GB trong ngành và cập nhật lên chip LPDDR5X 16 GB dựa trên quy trình 14 nanomet vào năm 2021, giúp tốc độ xử lý dữ liệu lên đến 8.500 megabit/giây, nhanh gấp 1,3 lần so với thế hệ trước.

SK Hynix bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM LPDDR5 vào tháng 3/2021, trong khi Micron đã công bố loại chip này từ đầu năm 2020. Hãng cho biết sẽ sử dụng chip này trong điện thoai Mi 10 của Xiaomi.