KTÐT - Hãng Toshiba của Nhật Bản vừa công bố bộ nhớ flash NAND sử dụng công nghệ xử lý 24-nm và hỗ trợ sửa lỗi ECC có tên gọi là SmartNAND.
Toshiba cho biết, dòng SmartNAND tích hợp bộ nhớ flash NAND với IC điều khiển hỗ trợ kiểm tra và sửa lỗi (error checking and correction - ECC) đã sẵn sàng hỗ trợ dung lượng từ 4 đến 64Gbyte.
SmartNAND được thiết kế nhằm loại bỏ việc đảm nhiệm ECC trên máy chủ xử lý. Tuy nhiên, Toshiba không đề cập tới độ bền trong chu kỳ đọc ghi dù công ty đã tuyên bố rằng việc quản lý các lỗi bit rất cần cho các sản phẩm số nhằm duy trì hiệu suất và độ tin cậy ở mức chấp nhận được.
Các sản phẩm SmartNAND 24-nm sẽ thay thế các thiết bị 32-nm đang có trên thị trường của Toshiba. Được tích hợp ECC và dẫn đầu về thế hệ xử lý 24nm, tốc độ của SmartNAND tăng hơn nhiều so với các dòng flash NAND trước đây: đọc nhanh hơn 1,9 lần, ghi nhanh hơn 1,5 lần. SmartNAND của Toshiba hỗ trợ nhiều mức tốc độ đọc ghi nhằm tối ưu hiệu suất; tốc độ đọc có 4 tùy chọn và tốc độ ghi có 2 tùy chọn. Chế độ tiết kiệm điện năng cũng có sẵn cho các yêu cầu tiết kiệm điện.
Các thành phần của một giao diện bộ nhớ flash NAND chuẩn gồm có: 8Kbyte kích thước trang, các mạch điều khiển 48-pin TSOP(12mm x 20mm x 1,2mm) và 52-land LGA (14mm x 18mm x 1mm). Các mẫu thuộc họ SmartNAND mới sẽ ra mắt vào giữa tháng 4 và sẽ được sản xuất hàng loạt từ quý 2, tung hàng loạt ra thị trường vào quý 3 và 4 năm nay.
